| 型号：NGB8206N | 类别：IGBT - 单路 | 制造商：ON Semiconductor |
| 封装：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 描述：IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK | |
详细参数
| 类别 | IGBT - 单路 |
|---|---|
| 描述 | IGBT IGNIT N-CHAN 20A 350V D2PAK |
| 系列 | - |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| IGBT类型 | - |
| 电压_集电极发射极击穿111最大222 | 390V |
| VgewwwwIc时的最大Vce111开222 | 1.9V @ 4.5V，20A |
| 电流_集电极（Ic）111最大222 | 20A |
| 功率_最大 | 150W |
| 输入类型 | 逻辑 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳和润天下电子科技有限公司 | 张小姐0755-83798683 |
| 深圳市芯脉实业有限公司 | 骆0755-84507209 |
| 深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
| 深圳市恒佳微电子有限公司 | 何0755-82710336 82533156年度优秀供应商 |
| 深圳市晶美隆科技有限公司 | 李林0755- 82519391 0755-83209630 |
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| 深圳市捷富芯科技有限公司 | 林生13686489274 |
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